R&D
-
Vysokoteplotní zařízení pro aktivaci příměsí v polovodičových SiC substrátech
10/12/2024Výzkum a vývoj SiC VTR reaktoru s podporou TAČR – projekt FW10010021 v rámci programu TREND (01/2024 až 12/2025)
Cílem projektu je vývoj prototypu zařízení pro aktivaci příměsí v SiC substrátech při teplotách 1600 až 2000 °C.
Z počátku bude pozornost zaměřena na samotný vysokoteplotní reaktor, kterým bude osazena kostra existující vertikální pece Si technologie. Budou provedeny testy řízení topného systému, kalibrace teplot a vakuové těsnosti.
Cílem prototypu reaktoru je identifikovat možnosti vylepšení konstrukce pro finální zařízení s novým designem kostry umožňující jeho relativně snadné skládání a jednoduchou údržbu. Pro prototyp finálního „aktivátoru“ bude vyvinuta i jednotka automatického nakládání SiC substrátů. Kostra prototypu zařízení bude vedle potřebné elektroniky a výkonových zdrojů pro napájení topných elementů obsahovat i plynový panel, vakuový systém a panel vodního chlazení.
Předpokládaný koncept reaktoru
- Vertikální typ pece
- Teplota 1600 ⁰C – 2000 ⁰C
- Grafitová trubka a liner
- Grafitová topidla (3 zóny)
- Grafitové el. kontakty
- Grafitová lodička
- Grafitový izolační piedestal
- Grafitová izolace komory
- Vodou chlazený vakuový nerezový plášť reaktoru a příruby
- 25-50 ks SiC desek
- 6“ resp. 8“ průměr SiC desek
- Robotická nakládka desek
Hlavní příjemce: SVCS Process Innovation, Optátova 37, 637 00 Brno
Další uchazeč projektu: VUT-CEITEC, Antonínská 548, 602 00 Brno
„Tento projekt/výsledek byl financován v rámci Národního plánu obnovy z evropského Nástroje pro oživení a odolnost.“
More articles
-
Česko-Japonský R&D project: ALD reaktor pro Minimal Fab
SVCS Process Innovation and HORIBA STEC will cooperate in the development of Minimal Fab design of the Plasma Enhanced Atomic...pokračovat
Číst více -
Plazmou aktivovaný ALD systém s unikátním zdrojem plazmy nízké teploty
SVCS Process Innovation and ISAC research teams will design together a plasma based ALD and ALEt equipment. The research will start with the standard ALD reactor design produced by ISAC, and plasma generation systems, gas and precursor distribution and controlling skills will be provided by SVCS.
Číst více -
Vysokoteplotní MOCVD reaktor pro tenkovrstvé pokrývání oxidu kovu a nitridu kovu na substráty do 150mm
Within national R&D project we developed (with the technical support of University of Technology and CEITEC) this unique reactor including...pokračovat
Číst více