• Vysokoteplotní zařízení pro aktivaci příměsí v polovodičových SiC substrátech

    Výzkum a vývoj SiC VTR reaktoru s podporou TAČR – projekt FW10010021 v rámci programu TREND (01/2024 až 12/2025)

     

    Cílem projektu je vývoj prototypu zařízení pro aktivaci příměsí v SiC substrátech při teplotách 1600 až 2000 °C.

    Z počátku bude pozornost zaměřena na samotný vysokoteplotní reaktor, kterým bude osazena kostra existující vertikální pece Si technologie. Budou provedeny testy řízení topného systému, kalibrace teplot a vakuové těsnosti.

    Cílem prototypu reaktoru je identifikovat možnosti vylepšení konstrukce pro finální zařízení s novým designem kostry umožňující jeho relativně snadné skládání a jednoduchou údržbu. Pro prototyp finálního „aktivátoru“ bude vyvinuta i jednotka automatického nakládání SiC substrátů. Kostra prototypu zařízení bude vedle potřebné elektroniky a výkonových zdrojů pro napájení topných elementů obsahovat i plynový panel, vakuový systém a panel vodního chlazení.

     

    Předpokládaný koncept reaktoru

    • Vertikální typ pece
    • Teplota 1600 ⁰C – 2000 ⁰C
    • Grafitová trubka a liner
    • Grafitová topidla (3 zóny)
    • Grafitové el. kontakty
    • Grafitová lodička
    • Grafitový izolační piedestal
    • Grafitová izolace komory
    • Vodou chlazený vakuový nerezový plášť reaktoru a příruby
    • 25-50 ks SiC desek
    • 6“ resp. 8“ průměr SiC desek
    • Robotická nakládka desek

     

     

     

    Hlavní příjemce: SVCS Process Innovation, Optátova 37, 637 00 Brno

    Další uchazeč projektu: VUT-CEITEC, Antonínská 548, 602 00 Brno

     

    „Tento projekt/výsledek byl financován v rámci Národního plánu obnovy z evropského Nástroje pro oživení a odolnost.“

More articles